
尺寸 / 重量:W200×D350×H345 mm,約 14.6 kg,桌面式、內(nèi)置真空泵。
真空系統(tǒng):內(nèi)置 10 L/min 旋轉(zhuǎn)泵,極限真空約 2 Pa,工作真空 6–10 Pa(氬氣)。
樣品倉(cāng):內(nèi)徑 120 mm× 高 65 mm,硬質(zhì)玻璃;樣品臺(tái) φ50 mm,浮動(dòng)式(與陽(yáng)極分離)。
靶材規(guī)格:φ51 mm× 厚 0.1 mm(Ag 為 0.5 mm),磁控管電極(永磁體內(nèi)置)。
電源:AC100 V,10 A;工作電壓約 500 V,低壓磁控,減少樣品損傷。
真空腔充氬氣,高壓電場(chǎng)使氬氣電離為 Ar?。
Ar?在電場(chǎng)加速下轟擊金屬靶材,靶原子被濺出。
靶原子沉積在樣品表面,形成 5–50 nm 厚均勻金屬膜,消除荷電、增強(qiáng)二次電子信號(hào)。
浮動(dòng)樣品臺(tái):電流不流經(jīng)樣品,升溫小,保護(hù)熱敏感樣品(如生物、高分子)。
低壓磁控:500 V 級(jí)電壓、6–8 Pa 氣壓,膜層致密(均勻性≤10%)、顆粒細(xì),適合高倍 SEM。
一鍵全自動(dòng):抽真空→濺射→充氣全流程自動(dòng),1–5 分鐘完成鍍膜,新手易用。



特點(diǎn):導(dǎo)電性好、膜連續(xù)、抗氧化、顆粒中等(20–30 nm),成本均衡。
適用:絕大多數(shù)常規(guī) SEM 樣品(高分子、陶瓷、粉末、生物樣品),10,000–30,000 倍觀察。
特點(diǎn):導(dǎo)電性最1優(yōu)、二次電子產(chǎn)率高、顆粒粗(30–50 nm)、易團(tuán)聚。
適用:低倍(≤10,000×)快速觀察、導(dǎo)電要求高的樣品;不適合高分辨率或多孔樣品。
特點(diǎn):顆粒最細(xì)(10–20 nm)、膜致密穩(wěn)定、抗氧化強(qiáng)、成本高。
適用:高分辨率 FE-SEM(≤50,000×)、EBSD 分析、納米結(jié)構(gòu) / 薄膜 / 生物樣品高倍成像。
特點(diǎn):顆粒細(xì)(15–25 nm)、導(dǎo)電性與穩(wěn)定性平衡、成本低于純 Pt。
適用:中高倍(20,000–40,000×)、兼顧分辨率與成本的科研場(chǎng)景。
特點(diǎn):導(dǎo)電性高、沉積快、極易氧化,需低真空 / 氬氣保護(hù)保存。
適用:短期高導(dǎo)電需求、非氧化環(huán)境樣品;不用于長(zhǎng)期存放或高濕環(huán)境。
| 應(yīng)用場(chǎng)景 | 推薦靶材 | 關(guān)鍵理由 |
|---|---|---|
| 常規(guī) SEM(10k–30k×)、通用樣品 | Au-Pd(標(biāo)配) | 均衡導(dǎo)電 / 成像 / 成本 |
| 高倍 FE-SEM(≤50k×)、EBSD | Pt / Pt-Pd | 細(xì)顆粒、致密膜、高分辨率 |
| 低倍快速篩查、高導(dǎo)電需求 | Au | 高導(dǎo)電、沉積快 |
| 短期高導(dǎo)電、非氧化環(huán)境 | Ag | 高導(dǎo)電、成本低 |
| 生物 / 高分子(熱敏感) | Pt / Au-Pd | 低損傷、膜均勻 |
低壓磁控 + 浮動(dòng)臺(tái):與 Pt/Pt-Pd 靶材適配,實(shí)現(xiàn)低損傷 + 細(xì)顆粒,適合生物 / 納米樣品高倍成像。
多靶材兼容:一臺(tái)設(shè)備覆蓋從低倍質(zhì)檢到高倍科研的全場(chǎng)景,性?xún)r(jià)比高。
靶材規(guī)格統(tǒng)一:φ51 mm 快換設(shè)計(jì),切換便捷,減少停機(jī)時(shí)間。
非超高真空:工作真空 6–10 Pa,靶材顆粒(10–50 nm),不支持≤100k× 的超高分辨率 FE-SEM(需 3–5 nm 顆粒,如 Cressington 208HR)。
無(wú)反應(yīng)濺射:僅支持貴金屬單質(zhì) / 合金,不能沉積氧化物、氮化物等功能膜。