分析塑料中鎘的形狀和厚度校正方法

發布日期：2022-09-19 瀏覽次數：964

分析塑料中鎘的形狀和厚度校正方法

在分析塑料中的鎘 (Cd) 時，由于 Cd (Cd-Ka: 23.2 keV) 的熒光 X 射線能量很高，因此產生的熒光 X 射線的強度會因樣品的厚度和形狀而異。（如果樣品基體是氯乙烯等，飽和厚度約為5mm。）由于樣品厚度和形狀引起的Cd強度變化直接反映為分析誤差。然而，在實際測量現場很難統一分析樣品的厚度和形狀。因此，我們能夠通過使用樣品產生的散射輻射的校正方法來校正形狀和厚度。

測量條件

設備：OURSTEX150RoHS

探測器：硅漂移探測器（SDD）

管電壓/電流：48kV-AUTO

測量時間：100秒

測量結果

樣品厚度

使用 250ppm 氯乙烯片材標準樣品（厚度 2mm）。將此表的兩到三張重疊并分析，并進行比較有無校正。
結果如表1所示。校準曲線是用一張紙創建的。

如果不進行校正，定量誤差會隨著張數的增加而反映出來，但結果表明，通過校正可以減小樣品厚度的影響。

樣品形狀

在測量導線涂層時，樣品的曲面形狀和內腔的影響會導致 Cd 的量化誤差。

表2顯示了導線涂層（圖 1）和 ICP 之間的相關性。

概括

采用散射輻射校正方法，對各種樣品形狀和厚度的樣品都取得了良好的效果。